光电复合线缆中屏蔽层结构对电磁泄露衰减性能的优化研究

摘要

光电复合缆在电力输电、5G 基站、数据中心等领域广泛应用，其电磁兼容性能直接影响系统稳定运行，电磁泄露问题也是制约产品应用安全性与可靠性的核心瓶颈。屏蔽层是抑制电磁泄露的核心结构，设计参数直接决定电磁泄露衰减效果。分析屏蔽层材料选择、屏蔽层数、编织密度、接地方式等结构要素，关联光电复合缆传输特性与应用场景需求，探究不同结构参数对电磁泄露衰减性能的影响机制，提出针对性屏蔽层结构优化方案。试验验证显示，优化后的屏蔽层结构可提升电磁泄露衰减效率，为高性能光电复合缆设计与制造提供技术支撑，满足多场景下电磁兼容性能的严苛要求。